Кина со седиште во Netac Technology ќе произведува DDR5 RAM модули кои ќе работат на 10.000 MHz и повеќе.
Знаеме дека меморијата на новата генерација DDR5 ќе биде многу побрза од претходната. Овие брзини можат да варираат во зависност од многу фактори. Во моментов, многу компании работат на ова прашање. Нов извештај за ова прашање беше објавен пред некој ден. Според извештајот објавен од IT Home, една кинеска компанија за меморија наречена Netac Technology планира да произведе DDR5 DRAM модули кои можат да работат на 10.000 MHz и повеќе.
Компанијата, наводно, ги користела мемориските чипови на Micron, IFA45 ZPZSB, за овие модели. Овие чипови се изградени со технологијата за производство на DRAM на Micron со 1z nm и имаат 40-40-40 времиња на под-тајминг. Микрон минатата година изјави дека неговата DDR5 меморија може да достигне до 6.400 MT/s. Сега, следната генерација на DDR5 кои достигнуваат 10 000 MT/s опсег се смета за навистина голем скок напред.
Netac не е единствената компанија која во последно време е во вестите за меморијата DDR5 на која работи. Неодамна, Samsung објави дека го гради првиот модул во светот со 512 GB DDR5. DDR5 модулите изградени од Samsung нема да бидат толку брзи како моделите DDR5 од новата генерација на Netac. Бидејќи модулите дизајнирани од Samsung имаат максимална брзина од 7.200 MT/s. Покрај тоа, една од главните разлики помеѓу модулите што ќе ги произведуваат двете компании ќе биде нивната намена. Samsung ги дизајнира своите 512 GB модули за употреба во сервери и слични корпоративни средини со високи перформанси. Од друга страна, Netac ги развива своите модули за да одговараат на пазарот на игри.
Конечно, треба да се напомене дека нема информации за тоа кога новата генерација DDR5 DRAM, 10000Mhz ќе биде достапна за корисниците!
